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삼성전자는 중국 현지 메모리 반도체공장에 본격적인 제품생산에 돌입했다고 9일 밝혔다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성했고, 단지는 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설됐다. 또한 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시 메모리를 두 번째로 생산한다.
특히 중국 공장이 위치한 시안지역과 삼성전자는 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 예정이다. 또한 시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대하고 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있다는 전망이다.
더불어 삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 60여 개에서 향후 100개까지 확대될 전망이다. 이에 삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 글로벌 반도체 생산 3거점 체제를 구축했다고 말했다.
한편 삼성전자 관계자에 따르면 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.
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