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삼성전자는 4일부터 6일(현지 시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 모형을 업계 최초로 공개하고 AI 시대를 이끌 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다.
삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 모형을 공개하고 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.
zHBM은 기존에 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.
HPC 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있었다.
zHBM은 AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다. zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다.
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또한 짧아진 데이터 간 이동 거리로 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮춰 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.
특히 zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.
삼성전자는 D램뿐 아니라 NAND에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다. zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션으로 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.
높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 고성능을 지원한다.
삼성전자는 △HBM4E △HBM5 △LPDDR5X-PIM △PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.
이와 함께 PM1763, BM1773 등 AI 시대의 다양한 데이터 처리 및 저장 수요에 대응하는 차세대 메모리·스토리지 포트폴리오도 공개했다.
삼성전자는 세계에서 유일하게 △메모리 △로직 △파운드리 △패키징까지 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 종합 반도체(IDM) 기업이다. 특히 고객의 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 개발 기간을 줄이고, 성능과 전력효율을 최적화함으로써 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원한다.
삼성전자는 “앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI 시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획이다”라고 밝혔다.
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