장태수 SK하이닉스 수바장 상공의 날 대통령 평가 수상

이 시간 주요기사

뉴스 > 전기·전자·통신

세계 최초 10나노급 공정 도임된 DDR5 D램 개발로 기술 리더십 증명
“모두가 이룬 성과… 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사 전한다”

양준규 기자 기자페이지 + 입력 2025-03-20 15:47:17

20일 SK하이닉스는 장태수 부사장이 서울 중구 대한상공회의소(대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념행사에서 대통령 표창을 받았다고 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.

이날 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 10나노급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.

대통령 표창의 영예를 안은 장태수 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

특히 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 Saddle-Fin 구조를 개발해 D램 셀 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산돼 업계 표준으로 자리 잡았다.

장 부사장은 1c D램 개발 TF에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.

장 부사장은 모두가 함께 이룬 성과라며 구성원들에게 공을 돌렸다.

장 부사장은 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과인 만큼 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다”며 “이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다”고 말했다.

장 부사장은 SK하이닉스가 세계 최초·최단 기간 내 개발을 통해 가장 먼저 기술 주도권을 확보했다는 점에서 큰 의미가 있다고 평가했다. 해당 기술을 가장 먼저 개발할 경우 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있으며 동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보 가능하다.

아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다.

장 부사장은 “D램 셀 크기를 줄이면 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있어 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있다”며 “셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다”고 말했다.

마지막으로 장 부사장은 “앞으로 마주할 수많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 말고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 돌아올 것으로 믿는다”며 “원팀과 실패 공유의 문화를 지속해서 실천하는 것이 중요하다”고 강조했다.

양준규 기자 jgyang@skyedaily.com 기자페이지 +

후원하기